सैमसंग की टेक्सास में 2nm HBM बेस डाई उत्पादन की योजना, रिपोर्ट के अनुसार AMD सबसे बड़ा ग्राहक

टेलर में दूसरा संयंत्र AI मेमोरी के नीचे की सर्किटरी बनाएगा

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स की योजना टेक्सास के टेलर में अपने दूसरे चिप कारखाने में कृत्रिम बुद्धिमत्ता (AI) मेमोरी के लिए उन्नत घटकों का उत्पादन करने की है। बड़े पैमाने पर उत्पादन 2030 में शुरू होना तय है। प्रस्तावित संयंत्र में 2 नैनोमीटर विनिर्माण प्रक्रिया का इस्तेमाल होगा, यह लगभग 2.7 मिलियन वर्ग फुट में फैला होगा और हाई बैंडविड्थ मेमोरी (HBM) के स्टैक के नीचे लगने वाली बेस डाई की आपूर्ति करेगा।

उद्योग जगत के सूत्रों का कहना है कि ग्राहकों ने संयंत्र की पूरी प्रस्तावित उत्पादन क्षमता पहले ही आरक्षित कर ली है और इसमें AMD की हिस्सेदारी सबसे अधिक है। Nvidia को भी संभावित ग्राहक बताया गया है। सैमसंग ने कारखाने की खबर पर टिप्पणी करने से इनकार किया है और बुकिंग की स्वतंत्र रूप से पुष्टि नहीं हुई है। ग्राहकों के बीच विस्तृत बंटवारे, अनुबंधों के मूल्य और वेफर में मापी जाने वाली उत्पादन क्षमता का खुलासा नहीं किया गया है।

इस परियोजना से सैमसंग को AI मेमोरी के भीतर लॉजिक सर्किटरी बनाने के बढ़ते कारोबार में प्रवेश का एक और रास्ता मिलेगा। उसका मेमोरी डिवीजन जानकारी संग्रह करने वाली चिप बनाता है, जबकि फाउंड्री डिवीजन प्रोसेसिंग और नियंत्रण सर्किट वाली चिप का विनिर्माण करता है। HBM के अधिक जटिल डिजाइन इन दोनों कारोबारों को एक-दूसरे के करीब ला रहे हैं।

Nvidia की जरूरतों से यह अवसर और जटिल हो जाता है। AI प्रोसेसर डिजाइन करने वाली इस कंपनी ने कथित तौर पर सैमसंग, SK hynix और Micron से अपनी कस्टमाइज्ड NVHBM मेमोरी में बेस डाई के लिए प्रतिद्वंद्वी TSMC की विनिर्माण प्रक्रिया इस्तेमाल करने को कहा है। इसलिए सैमसंग के सामने कारोबार के दो अलग रास्ते हैं: Nvidia के लिए TSMC के घटकों वाली मेमोरी बनाना और AMD समेत उन ग्राहकों के लिए अपने कारखानों का इस्तेमाल करना जो उसकी अपनी प्रक्रिया चुनते हैं।

टेक्सास की प्रस्तावित योजना इन दोनों रास्तों को और स्पष्ट करती है। बेस डाई कोई दूसरी कंपनी बनाए, तब भी सैमसंग एक बड़ा मेमोरी आपूर्तिकर्ता बना रह सकता है। साथ ही, जो ग्राहक उसकी अपनी प्रक्रिया चुनते हैं, उनसे विनिर्माण का अधिक राजस्व हासिल करने की कोशिश कर सकता है।

टेक्सास का कारखाना क्या बनाएगा

HBM में कई मेमोरी चिप को एक शक्तिशाली प्रोसेसर के पास ऊर्ध्वाधर स्टैक में जोड़ा जाता है। इस व्यवस्था से बड़ी मात्रा में जानकारी कम दूरी तय करती है और AI प्रोसेसर को अपनी गणनाओं के लिए जरूरी डेटा जल्दी मिल पाता है। बैंडविड्थ का अर्थ है कि किसी निश्चित समय में कितना डेटा भेजा जा सकता है, न कि मेमोरी में कितनी जानकारी रखी जा सकती है।

डाई सिलिकॉन का एक अलग टुकड़ा होता है, जिसमें इलेक्ट्रॉनिक सर्किट होते हैं। HBM स्टैक में मेमोरी कोर डाई डेटा संग्रह करती हैं। उनके नीचे लगी बेस डाई कनेक्शन और लॉजिक के ऐसे काम करती है, जो स्टैक को प्रोसेसर के साथ संचार करने में मदद करते हैं।

सैमसंग की योजना टेलर में बनी बेस डाई को दक्षिण कोरिया में उत्पादित DRAM के साथ जोड़ने की है। DRAM वह कार्यशील मेमोरी है, जिसमें कंप्यूटिंग सिस्टम के चलते रहने के दौरान जानकारी अस्थायी रूप से रखी जाती है। इस तरह प्रस्तावित उत्पादन श्रृंखला अमेरिकी लॉजिक विनिर्माण को कोरियाई मेमोरी उत्पादन से जोड़ेगी।

उद्योग जगत के सूत्रों के अनुसार, बड़े पैमाने पर उत्पादन में मौजूद सैमसंग के HBM4 उत्पाद और उसके HBM4E सैंपल फिलहाल 4 नैनोमीटर प्रक्रिया से बनी बेस डाई का इस्तेमाल करते हैं। टेलर फैब 2 में 2 नैनोमीटर प्रक्रिया अपनाई जाएगी और भविष्य के उत्पादों की जरूरत के अनुसार इससे अधिक उन्नत प्रक्रियाओं की संभावना भी रहेगी। प्रक्रिया के ये नाम विनिर्माण तकनीक की उन पीढ़ियों को दर्शाते हैं, जिनसे छोटी चिप में लगातार अधिक जटिल सर्किट फिट किए जाते हैं।

निर्माण के पड़ाव 2030 तक

टेलर फैब 2 लगभग 250,000 वर्ग मीटर में फैला होगा, जो टेलर के पहले कारखाने से करीब 1.5 गुना बड़ा है। खबरों के मुताबिक, जमीन तैयार करने और समतल करने का काम जारी है। बड़े पैमाने पर निर्माण नवंबर 2026 की शुरुआत में शुरू होना तय है।

निर्धारित समय-सारणी में निर्माण कार्य की शुरुआत, विनिर्माण उपकरण लगाने और बिक्री योग्य चिप का उत्पादन शुरू होने के चरण अलग-अलग हैं। चिप कारखानों की इमारतें तैयार होने के बाद भी उपकरण लगाने और उत्पादन प्रक्रिया तैयार करने में काफी काम करना पड़ता है।

• मार्च 2026: टेलर नगर परिषद ने दूसरे कारखाने से जुड़े परमिट के लिए इंजीनियरिंग सहायता को मंजूरी दी।
• नवंबर 2026 की शुरुआत: टेलर फैब 2 में बड़े पैमाने पर निर्माण शुरू होना तय है।
• 2027: टेलर के पहले कारखाने में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू होने की उम्मीद है।
• फरवरी 2029: दूसरे कारखाने में उपकरण लगाने का काम शुरू होने की उम्मीद है।
• 2030: टेलर फैब 2 में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू होना तय है।

इस समय-सारणी के अनुसार, दूसरा कारखाना AI मेमोरी की मौजूदा होड़ से कई साल बाद उत्पादन शुरू करेगा। इसका व्यावसायिक मकसद उत्पादों की अगली पीढ़ियों में जगह बनाना है, जिनमें बेस डाई से अधिक जटिल सर्किटरी संभालने की उम्मीद है।

प्रस्तावित विस्तार के लिए AMD क्यों अहम है

खबरों के मुताबिक, टेलर फैब 2 की बुकिंग में AMD की हिस्सेदारी सबसे अधिक है। उद्योग जगत के सूत्रों का अनुमान है कि केवल AMD की जरूरतें ही कारखाने की प्रस्तावित क्षमता पर दबाव डाल सकती हैं। इससे कंपनी सैमसंग की प्रस्तावित विस्तार योजना के केंद्र में आ जाती है।

सैमसंग की योजना AMD और अन्य ग्राहकों को दी जाने वाली कस्टमाइज्ड HBM के लिए अपने एकीकृत विनिर्माण मॉडल का इस्तेमाल जारी रखने की है। इस व्यवस्था में सैमसंग के अपने कारोबार मेमोरी कोर डाई और बेस डाई, दोनों बनाएंगे, बजाय इसके कि बेस डाई किसी दूसरी फाउंड्री से खरीदी जाए।

सैमसंग के लिए इस तरीके से मेमोरी और फाउंड्री, दोनों कारोबारों को राजस्व मिल सकता है। AMD के लिए विनिर्माण क्षमता आरक्षित होने से उसके AI चिप कारोबार के विस्तार के साथ उत्पादन कार्यक्रम में जगह सुनिश्चित होगी। टेलर के लिए बताई गई बुकिंग में कौन से सटीक मेमोरी डिजाइन शामिल हैं, इसका विवरण नहीं दिया गया है।

यह साझेदारी प्रोसेसर की डेटा तक पहुंच बेहतर करने की व्यापक कोशिश का हिस्सा है। सैमसंग ने अक्टूबर 2026 में AI इंफ्रास्ट्रक्चर पर अपनी प्रस्तुतियों के दौरान AMD के साथ मेमोरी पूलिंग सहयोग पेश किया था। इसमें कस्टमाइज्ड HBM और अन्य मेमोरी तकनीकें भी शामिल थीं। टेलर की योजना इस कोशिश के एक अलग हिस्से से जुड़ी है: भविष्य के HBM स्टैक के नीचे लगने वाले सिलिकॉन का विनिर्माण।

Nvidia आपूर्तिकर्ताओं से TSMC का इस्तेमाल क्यों करने को कह रही है

Nvidia की बताई गई विनिर्माण शर्त HBM उत्पादन के उस चरण में TSMC को लाएगी, जिसे सैमसंग पारंपरिक रूप से अपने यहां संभालता रहा है। 18 अक्टूबर 2026 के उद्योग सूत्रों के अनुसार, Nvidia ने सैमसंग, SK hynix और Micron से NVHBM बेस डाई के लिए TSMC की 3 नैनोमीटर प्रक्रिया इस्तेमाल करने को कहा है। मेमोरी कोर डाई के लिए छठी पीढ़ी की DRAM विनिर्माण तकनीक का इस्तेमाल होगा।

Nvidia चाहती है कि उसके आपूर्तिकर्ताओं की मेमोरी एक जैसा प्रदर्शन करे। बेस डाई के लिए एक साझा विनिर्माण प्रक्रिया से उत्पादों के बीच अंतर कम हो सकता है और Nvidia प्रोसेसर के साथ इस्तेमाल के लिए हर निर्माता की मेमोरी को मंजूरी देने में लगने वाला इंजीनियरिंग काम घट सकता है।

खबरों के मुताबिक, आंतरिक समीक्षा के बाद सैमसंग ने यह शर्त स्वीकार कर ली। इससे TSMC के साथ पहले का सहयोग आगे बढ़ेगा। पहले यह सहयोग सैमसंग की मेमोरी को TSMC की चिप पैकेजिंग तकनीक के अनुकूल बनाने पर केंद्रित था; अब इसमें HBM के एक अहम घटक का विनिर्माण भी शामिल होगा।

अक्टूबर में बताई गई Nvidia की बेस डाई संबंधी शर्त बताती है कि सैमसंग की टेक्सास में महत्वाकांक्षा और TSMC का इस्तेमाल एक साथ कैसे संभव हैं। सैमसंग ऐसी मेमोरी के साथ Nvidia को आपूर्ति कर सकता है जिसमें TSMC की बेस डाई लगी हो, और दूसरी जगह अपने विनिर्माण ऑर्डर हासिल करने की कोशिश भी कर सकता है।

NVHBM मेमोरी में अधिक नियंत्रण सर्किटरी लाता है

NVHBM मुख्य प्रोसेसर और उसके पास लगी मेमोरी के बीच काम का बंटवारा बदलता है। इसके डिजाइन में डेटा ट्रैफिक को निर्देशित करने वाली सर्किटरी यानी मेमोरी कंट्रोलर को ग्राफिक्स प्रोसेसिंग यूनिट से HBM बेस डाई में स्थानांतरित किया जाता है।

इससे Nvidia को मुख्य प्रोसेसर पर अधिक कंप्यूटिंग सर्किटरी लगाने की जगह मिलती है। बेस डाई की भूमिका बढ़ जाती है, जिससे पूरी प्रणाली के लिए उसकी विनिर्माण तकनीक और अहम हो जाती है। सीमित जगह में अतिरिक्त लॉजिक फिट करना उन्नत प्रक्रिया अपनाने की एक वजह है।

विनिर्माण में मिलने वाली उपज भी लागत और आपूर्ति को प्रभावित करती है। उपज से आशय सिलिकॉन वेफर पर बनी उन चिप के अनुपात से है, जो जरूरी मानकों पर खरी उतरती हैं। उद्योग के अनुमानों के अनुसार, TSMC की 3 नैनोमीटर प्रक्रिया में उपज 90% से अधिक है, जबकि सैमसंग की 2 नैनोमीटर प्रक्रिया में यह करीब 60% है। ये अनुमान अलग-अलग प्रक्रियाओं के हैं, लेकिन बताते हैं कि अधिक उपयोग योग्य चिप देने वाली प्रक्रिया व्यावसायिक रूप से क्यों आकर्षक है।

सैमसंग अपनी विनिर्माण तकनीक से NVHBM बेस डाई बनाने की संभावना भी परख रहा है। अगर मांग TSMC की क्षमता से बढ़ जाती है, तो इससे एक विकल्प मिल सकता है। TSMC को प्राथमिकता देने की Nvidia की बताई गई पसंद का मतलब है कि टेलर में Nvidia की संभावित भूमिका भविष्य में आपूर्ति के फैसलों पर निर्भर है। Nvidia प्रोसेसर की कई पीढ़ियां बेचती रहे, तो पारंपरिक HBM और NVHBM साथ-साथ चल सकते हैं।

मेमोरी की मांग आपूर्ति से तेज बढ़ रही है

UBS का अनुमान है कि 2027 में HBM की मांग करीब 61.5 अरब गीगाबिट होगी, जो पिछले वर्ष से 91% अधिक है। करीब 54.6 अरब गीगाबिट की अनुमानित आपूर्ति से 6.9 अरब गीगाबिट की कमी रह जाएगी, यानी अनुमानित मांग का लगभग 11%।

ये आंकड़े तैयार HBM स्टैक की संख्या नहीं, बल्कि मेमोरी की मात्रा मापते हैं। तुलना से पता चलता है कि प्रोसेसर कंपनियां नया कारखाना शुरू होने से काफी पहले उत्पादन क्षमता पक्की करने के लिए प्रतिबद्धताएं क्यों हासिल कर रही हैं।

Nvidia का Vera Rubin उत्पादन शुरू होना उन्नत मेमोरी की मांग का एक और तात्कालिक स्रोत है। इस प्लेटफॉर्म के लिए HBM4 की आपूर्ति हासिल करने और अगली पीढ़ियों को विकसित करने के लिए सैमसंग, SK hynix और Micron प्रतिस्पर्धा कर रहे हैं।

टेलर फैब 2 का 2030 का लक्ष्य UBS के अनुमान में बताई गई कमी से काफी बाद का है। यह कारखाना ऐसे बाद के बाजार के लिए काम करेगा, जिसे AI कंप्यूटिंग की आगे की वृद्धि और मेमोरी डिजाइन में बदलाव आकार देंगे। इसलिए सैमसंग की योजना केवल क्षमता में निवेश नहीं, बल्कि यह फैसला भी है कि वह भविष्य की मेमोरी प्रणालियों के किन हिस्सों का विनिर्माण करना चाहता है।

पहला टेलर कारखाना शुरुआती आधार देगा

सैमसंग के पहले टेलर कारखाने में दूसरे संयंत्र से तीन साल पहले, 2027 में उत्पादन शुरू होने की उम्मीद है। Tesla को 16.5 अरब डॉलर के कथित समझौते के तहत AI5 और AI6 चिप के लिए इसका मुख्य ग्राहक बताया गया है।

पहले कारखाने से जुड़ा बताया गया निवेश 17 अरब डॉलर से बढ़कर 37 अरब डॉलर हो गया है। इस परियोजना में अमेरिकी CHIPS Act के तहत 4.75 अरब डॉलर की सहायता भी शामिल है। टेलर का पूरा परिसर 1,268 एकड़ में फैला है और यहां अधिकतम 10 कारखानों के लिए जगह है।

दोनों संयंत्र परिसर में अलग-अलग भूमिकाएं निभाएंगे। पहले का संबंध AI प्रोसेसर विनिर्माण से है, जबकि दूसरे को उन्नत मेमोरी के लिए लॉजिक घटक बनाने के लिए तैयार किया जा रहा है। इससे ग्राहकों के लिए अमेरिका में सैमसंग द्वारा बनाए जा सकने वाले AI-संबंधित सिलिकॉन की विविधता बढ़ेगी।

प्रस्तावित HBM उत्पादन श्रृंखला में दक्षिण कोरिया की भूमिका बनी रहेगी, क्योंकि सैमसंग वहां DRAM बनाने की योजना रखता है। टेक्सास के विस्तार से उत्पादन दोनों देशों में बंटेगा: अमेरिकी बेस डाई कोरियाई मेमोरी के साथ जोड़ी जाएंगी।

सैमसंग फाउंड्री कारोबार मजबूत करना चाहता है

सैमसंग ने कहा है कि तीसरी तिमाही में उसके फाउंड्री राजस्व को HBM लॉजिक डाई की बिक्री और बड़े क्लाउड ऑपरेटरों तथा AI के अन्य ग्राहकों से मिले उन्नत 2 नैनोमीटर ऑर्डर का लाभ हुआ। इसके बावजूद कारोबार घाटे में रहा।

कंपनी ने 2026 के दौरान 2 नैनोमीटर ऑर्डर में 130% से अधिक वृद्धि का अनुमान जताया है। Kiwoom Securities को उम्मीद है कि चौथी तिमाही में फाउंड्री डिवीजन फिर मुनाफे में आ जाएगा। दूसरे टेलर कारखाने की पूरी क्षमता पहले से आरक्षित होना इस सुधार प्रयास को सहारा देगा और सैमसंग को आगे के उत्पादन की लंबी योजना बनाने का मौका देगा।

अन्य संभावित ग्राहक अभी शुरुआती चरण में हैं। उद्योग के जानकार Broadcom को टेलर की HBM बेस डाई का संभावित खरीदार मानते हैं। सैमसंग ताइवान की Faraday के जरिए एक अमेरिकी क्लाउड ग्राहक के लिए संभावित 2 नैनोमीटर AI चिप परियोजना पर भी काम कर रहा है। Faraday कस्टम चिप डिजाइन करती है। इस परियोजना के विनिर्माण ऑर्डर की पुष्टि नहीं हुई है।

AMD की बताई गई मांग टेक्सास योजना को सबसे स्पष्ट ग्राहक-केंद्रित दिशा देती है। Nvidia एक अधिक जटिल अवसर है, क्योंकि उसकी मेमोरी संबंधी मौजूदा जरूरतें बेस डाई का विनिर्माण TSMC की ओर निर्देशित करती हैं। सैमसंग के सामने चुनौती यह है कि हर ग्राहक के चुने डिजाइन और उत्पादन जरूरतों को पूरा करते हुए अपनी मेमोरी की मांग को अपने कारखानों के अधिक काम में बदले।

मुख्य बातें

• सैमसंग के दूसरे टेलर कारखाने में 2 नैनोमीटर प्रक्रिया से HBM बेस डाई बनाने की योजना है। बड़े पैमाने पर उत्पादन 2030 में शुरू होना तय है।
• उद्योग जगत के सूत्रों का कहना है कि पूरी प्रस्तावित क्षमता बुक हो चुकी है और अधिकांश बुकिंग AMD के लिए है। सैमसंग ने इस खबर की पुष्टि नहीं की है।
• बड़े पैमाने पर निर्माण नवंबर 2026 की शुरुआत में शुरू होना तय है। इसके बाद फरवरी 2029 से उपकरण लगाने का काम शुरू होगा।
• सैमसंग की योजना टेक्सास में बनी बेस डाई को दक्षिण कोरिया में निर्मित DRAM के साथ जोड़ने की है।
• खबरों के मुताबिक, Nvidia ने अपने तीन प्रमुख HBM आपूर्तिकर्ताओं से NVHBM बेस डाई के लिए TSMC की 3 नैनोमीटर प्रक्रिया इस्तेमाल करने को कहा है।
• UBS का अनुमान है कि 2027 में HBM की मांग 61.5 अरब गीगाबिट होगी, जबकि अनुमानित आपूर्ति 54.6 अरब गीगाबिट है।
• यह विस्तार सैमसंग को उन्नत विनिर्माण कारोबार हासिल करने की कोशिश में मदद देगा, जबकि उसका फाउंड्री डिवीजन मुनाफे में लौटने की दिशा में काम कर रहा है।