तेज असेंबली लाइन से मेमोरी आपूर्ति पर ध्यान
Nvidia ने अपने Vera Rubin कृत्रिम बुद्धिमत्ता कंप्यूटिंग प्लेटफॉर्म का पूर्ण उत्पादन शुरू कर दिया है। मुख्य कार्यकारी Jensen Huang ने कहा कि अब एक सर्वर नोड पांच मिनट से भी कम समय में असेंबल किया जा सकता है, जबकि इसके पिछले संस्करण Grace Blackwell को बनाने में दो घंटे लगते थे। इस बदलाव से सर्वर निर्माण तेज होने की उम्मीद है, साथ ही Samsung Electronics, SK hynix और Micron की उन्नत मेमोरी की मांग भी बढ़ेगी।
विषय-सूची
- तेज असेंबली लाइन से मेमोरी आपूर्ति पर ध्यान
- Vera Rubin में क्या बदलाव है?
- AI प्रदर्शन के लिए HBM4 क्यों अहम है
- Samsung गति पर जोर देता है, SK hynix क्षमता बढ़ाता है
- Micron ने विस्तार किया, 2027 की क्षमता पहले ही बुक
- पैकेजिंग और श्रमिकों की उपलब्धता से आपूर्ति सीमित हो सकती है
- HBM4E पर काम पहले ही आकार ले रहा है
- निर्माता GPU के पास मौजूद मेमोरी से आगे देख रहे हैं
- उत्पादन के अहम पड़ाव जिन पर नजर रखनी है
- मुख्य बातें
Huang ने GTC Berlin 2026 में Vera Rubin नोड पेश किया। उन्होंने बताया कि इसके डिजाइन में केबल या तार नहीं हैं और इसमें 100% लिक्विड कूलिंग है। Grace Blackwell में सिस्टम के 80% हिस्से के लिए लिक्विड कूलिंग का इस्तेमाल होता था और उसे असेंबल करने में काफी अधिक काम लगता था।
असेंबली में 95.8% से अधिक की कमी आई है: पहले 120 मिनट लगते थे, अब पांच मिनट से भी कम। बड़ी संख्या में AI सर्वर बनाने वाली कंपनियों के लिए इस चरण को सरल बनाने से उपकरण कारखानों से तेजी से निकल सकते हैं। हालांकि, चिप बनाने, मेमोरी पैकेज करने और पूरे सिस्टम को लगाने में लगने वाला समय व्यापक उत्पादन कार्यक्रम का हिस्सा बना रहेगा।
Samsung और SK hynix, हाई बैंडविड्थ मेमोरी की छठी पीढ़ी HBM4 की मांग हासिल करने की होड़ में हैं। Micron को भी Vera Rubin के लिए आपूर्ति की मंजूरी मिल चुकी है, जिससे यह तीनों प्रमुख HBM निर्माताओं के बीच मुकाबला बन गया है।
इसी दौरान, आपूर्तिकर्ता HBM4 के बाद की अगली पीढ़ी HBM4E भी पेश कर रहे हैं। उनकी घोषणाएं दो परस्पर जुड़ी चुनौतियां दिखाती हैं: Nvidia ऐसे सर्वर चाहती है जिन्हें बनाना आसान हो, जबकि मेमोरी निर्माताओं को जटिल उत्पादन प्रक्रिया के बीच अधिक गति और क्षमता देनी होगी। सर्वर असेंबली तेज होने से चिप की भरोसेमंद आपूर्ति और भी अहम हो जाती है।
Vera Rubin में क्या बदलाव है?
सर्वर नोड एक बड़ी कंप्यूटिंग प्रणाली की बुनियादी इकाई है। Nvidia इन इकाइयों को जोड़ती है, ताकि कई प्रोसेसर मिलकर कठिन AI कार्य कर सकें, जैसे किसी मॉडल को प्रशिक्षित करना या बड़ी संख्या में उपयोगकर्ताओं के सवालों के जवाब देना।
Vera Rubin का सरल असेंबली डिजाइन घटकों को जोड़ने में लगने वाला काम घटाता है। Grace Blackwell से तुलना करते हुए Huang ने नोड से केबल और तार हटाने तथा पूरी तरह लिक्विड कूलिंग अपनाने पर जोर दिया।
लिक्विड कूलिंग में घूमता हुआ द्रव घटकों से गर्मी दूर ले जाता है। शक्तिशाली AI प्रोसेसर काफी गर्मी पैदा करते हैं। तापमान नियंत्रित रखने से लंबे समय तक काम के दौरान उनका भरोसेमंद संचालन सुनिश्चित करने में मदद मिलती है। Huang के बताए Vera Rubin सिस्टम में यह तरीका पूरे सिस्टम में लागू किया गया है।
Nvidia की उत्पादन घोषणा से यह डिजाइन विनिर्माण चरण में पहुंच गया है। तैयार सिस्टम ग्राहकों तक कितनी तेजी से पहुंचेंगे, यह प्रोसेसर, मेमोरी, पैकेजिंग और कूलिंग उपकरणों की उपलब्धता पर भी निर्भर करेगा।
AI प्रदर्शन के लिए HBM4 क्यों अहम है
HBM में कई मेमोरी चिप को AI प्रोसेसर के पास एक के ऊपर एक रखा जाता है। सिलिकॉन के भीतर से गुजरने वाले बेहद छोटे कनेक्शन परतों के बीच डेटा पहुंचाते हैं। एक साझा कनेक्टिंग सतह इस स्टैक को प्रोसेसर से जोड़ती है, जिससे उसे जानकारी तेजी से मिलती है।
AI प्रोसेसर को इस पहुंच की जरूरत होती है, क्योंकि गणनाओं के लिए लगातार डेटा चाहिए। अगर मेमोरी पर्याप्त तेजी से जानकारी नहीं दे पाती, तो शक्तिशाली प्रोसेसर भी इंतजार में समय गंवा सकता है। बैंडविड्थ बताती है कि हर सेकंड कितना डेटा भेजा जा सकता है; क्षमता बताती है कि एक समय में कितना डेटा रखा जा सकता है।
HBM4 डेटा इंटरफेस को 2,048 बिट तक चौड़ा करता है, जो पिछली पीढ़ी से दोगुना है। Samsung के मुताबिक उसकी 12-परत वाली स्टैक की बैंडविड्थ 2.8 टेराबाइट प्रति सेकंड है, जबकि Micron अपने मौजूदा HBM4 उत्पाद के लिए 2.8 टेराबाइट प्रति सेकंड से अधिक की बैंडविड्थ बताती है।
गति और स्टोरेज, दोनों अहम हैं। AI मॉडल को प्रशिक्षित करने के लिए बड़ी मात्रा में डेटा पर बार-बार गणना करनी पड़ती है। प्रशिक्षित मॉडल को चलाने की प्रक्रिया, जिसे इन्फरेंस कहते हैं, में भी मॉडल और संसाधित हो रहे अनुरोधों की जानकारी रखने के लिए मेमोरी चाहिए।
Samsung गति पर जोर देता है, SK hynix क्षमता बढ़ाता है
Samsung का HBM4 उसकी छठी पीढ़ी की 1c DRAM विनिर्माण प्रक्रिया को 4 नैनोमीटर लॉजिक प्रक्रिया से बने बेस डाई के साथ जोड़ता है। बेस डाई मेमोरी स्टैक के नीचे मौजूद नियंत्रण परत है। Samsung हर पिन पर 11.7 गीगाबिट प्रति सेकंड की डेटा दर बताता है, जो अनुकूलित विन्यास में 13 गीगाबिट तक पहुंचती है।
Samsung Electronics के मेमोरी विकास प्रमुख Hwang Sang-joon ने कंपनी की पहली व्यावसायिक खेप की घोषणा के समय विनिर्माण विकल्प के बारे में कहा:
मौजूदा और परखे हुए डिजाइन इस्तेमाल करने का पारंपरिक रास्ता अपनाने के बजाय, Samsung ने बड़ा कदम उठाते हुए HBM4 के लिए 1c DRAM और 4nm लॉजिक प्रक्रिया जैसी सबसे उन्नत तकनीकों को अपनाया,
SK hynix ने अपने प्रदर्शित HBM4 उत्पाद में अलग तरीका अपनाया है। उसने अधिक स्थापित 1b DRAM प्रक्रिया का उपयोग करते हुए 16 परतें जोड़ी हैं। इस संस्करण की क्षमता 48 गीगाबाइट है, जबकि Samsung की 12-परत वाली स्टैक में 36 गीगाबाइट हैं।
इस तरह SK hynix की स्टैक में 12 गीगाबाइट अधिक जगह है, यानी क्षमता में एक-तिहाई बढ़ोतरी। अतिरिक्त जगह से सिस्टम प्रोसेसर के करीब अधिक कामकाजी जानकारी रख सकते हैं। Samsung का तरीका नई विनिर्माण प्रक्रिया के जरिए तेज डेटा ट्रांसफर पर केंद्रित है।
लंबी बातचीत और जटिल AI कार्यों में क्षमता खास तौर पर अहम होती है। मॉडल अनुरोध के पिछले हिस्सों की जानकारी एक अस्थायी स्टोर में रखते हैं, जिसे की-वैल्यू कैश कहते हैं। जैसे-जैसे अधिक उपयोगकर्ता लंबे अनुरोध भेजते हैं, यह कैश उपलब्ध मेमोरी भर सकता है और जानकारी को धीमे स्टोरेज में भेजने की नौबत आ सकती है।
SK hynix के विकास प्रमुख Ahn Hyeon का अनुमान है कि AI बुनियादी ढांचे के लिए जरूरी प्रदर्शन का पैमाना 2030 में 2026 के मुकाबले करीब 20 गुना बड़ा हो सकता है। नई मेमोरी तकनीकों की जरूरत के पक्ष में उनका तर्क आंशिक रूप से उस बढ़ती जानकारी पर आधारित है, जिसे इन्फरेंस सिस्टम को आसानी से उपलब्ध रखना पड़ता है।
Micron ने विस्तार किया, 2027 की क्षमता पहले ही बुक
Micron ने अक्टूबर 2026 के मध्य में ताइवान के ताइचुंग में अपनी दूसरी उन्नत HBM असेंबली और परीक्षण सुविधा खोली। AATT2 नाम का यह संयंत्र अलग-अलग मेमोरी चिप को तैयार स्टैक में बदलने की क्षमता बढ़ाता है।
उद्घाटन समारोह में Micron के अध्यक्ष और मुख्य परिचालन अधिकारी Manish Bhatia ने मांग के बारे में कहा:
2027 की पूरी नियोजित क्षमता पहले ही बिक चुकी है,
Micron के मुख्य कार्यकारी Sanjay Mehrotra ने कंपनी की जून की आय कॉल में कहा कि व्यावसायिक खेप शुरू होने के कुछ ही महीनों के भीतर HBM4 की कुल बिक्री 1 अरब डॉलर पार कर गई थी। उन्होंने यह भी कहा कि 12-परत वाले HBM4 का उत्पादन, HBM3E के समकक्ष उत्पादन-वृद्धि की तुलना में दोगुनी तेजी से बढ़ रहा था।
Nvidia के Huang ने जून में पुष्टि की कि Samsung, SK hynix और Micron, तीनों को HBM4 की आपूर्ति के लिए मंजूरी मिल गई है और वे Vera Rubin के लिए बड़े पैमाने पर उत्पादन कर रहे हैं। ग्राहक की मंजूरी का मतलब है कि आपूर्तिकर्ता का उत्पाद ग्राहक के सिस्टम में इस्तेमाल के लिए जरूरी जांचों में सफल रहा है।
Micron का लक्ष्य 2026 के अंत तक HBM की कुल उत्पादन क्षमता करीब 100,000 वेफर प्रति माह तक पहुंचाना था। जून तक ताइवान में कंपनी का कुल निवेश NT$1.6 ट्रिलियन, यानी करीब $50.2 अरब, से अधिक हो गया था।
मियाओली काउंटी में कंपनी के टोंगलुओ केंद्र से 2027 के मध्य तक पूरे उत्पादों की खेप शुरू होने का लक्ष्य है। वहां बने वेफर असेंबली और परीक्षण के लिए करीब 24 किलोमीटर दूर AATT2 ले जाए जाएंगे। इससे उत्पादन के दो चरण अपेक्षाकृत कम दूरी में जुड़ेंगे।
पैकेजिंग और श्रमिकों की उपलब्धता से आपूर्ति सीमित हो सकती है
HBM उत्पादन में कामकाजी मेमोरी चिप बनाने से कहीं अधिक काम शामिल है। निर्माताओं को सिलिकॉन को पतला करना, उसमें सटीक कनेक्शन बनाना और कई परतों को एक साथ जोड़ना पड़ता है। इन चरणों के दौरान कोई खामी तैयार स्टैक की उपयोगी संख्या घटा सकती है।
ऊंची स्टैक में कनेक्शन और जोड़ने की प्रक्रियाएं अधिक होती हैं, जिन्हें सफल होना जरूरी है। इसलिए Samsung का नई प्रक्रिया के साथ 12 परतें चुनना और SK hynix का अधिक स्थापित प्रक्रिया के साथ 16 परतें इस्तेमाल करना, उत्पाद विनिर्देशों के साथ-साथ अलग-अलग विनिर्माण चुनौतियां भी पेश करता है।
उपकरण आपूर्तिकर्ता Hanmi Semiconductor थर्मल कंप्रेशन बॉन्डिंग मशीनें बनाता है। ये नियंत्रित गर्मी और दबाव से परतों को जोड़ती हैं। SK hynix ने जून में अपने चेओंगजू संयंत्र के लिए उन्नत TC Bonder 4.5 Griffin उपकरणों के वास्ते 44.2 अरब वॉन, यानी करीब 33 मिलियन डॉलर, का अनुबंध किया। Hanmi ने अपने अगले Wide TC Bonder को 2027 में व्यावसायिक रूप से जारी करने का कार्यक्रम बनाया है।
Micron को ताइवान में श्रमिक उपलब्धता को लेकर भी अनिश्चितता का सामना है। कंपनी की ताओयुआन यूनियन ने बताया कि 7 अक्टूबर को हड़ताल की कार्रवाई के पक्ष में 2,012 पात्र सदस्यों में से 1,994 ने अनुमति दी, यानी पात्र सदस्यों के करीब 99% ने। ताइचुंग यूनियन से जुड़ी मध्यस्थता 22 अक्टूबर को तय थी। ताइवान के राष्ट्रपति Lai Ching-te ने AATT2 के उद्घाटन में हिस्सा लिया और सद्भावना से बातचीत करने की अपील की।
इन घटनाक्रमों ने कारखाने के उपकरणों के साथ-साथ कर्मचारियों पर भी ध्यान केंद्रित किया है। हड़ताल की अनुमति औद्योगिक कार्रवाई का रास्ता खोलने वाला कदम थी; काम बंद होने या उससे खेप प्रभावित होने की कोई घोषणा नहीं हुई थी।
HBM4E पर काम पहले ही आकार ले रहा है
Samsung और SK hynix ने 14 से 16 अक्टूबर तक सियोल के COEX में आयोजित SEDEX 2026 में अगली पीढ़ी की HBM4E तकनीक प्रदर्शित की। दोनों ने Nvidia का Vera Rubin Superchip भी दिखाया, जो मेमोरी की होड़ और Nvidia के प्लेटफॉर्म के करीबी संबंध को दर्शाता है।
Samsung का HBM4E, 1c DRAM और 4 नैनोमीटर प्रक्रिया से बने बेस डाई का इस्तेमाल करता है। कंपनी हर पिन पर 16 गीगाबिट प्रति सेकंड तक की गति और 3.6 टेराबाइट प्रति सेकंड की बैंडविड्थ बताती है।
Samsung की बताई HBM4 बैंडविड्थ 2.8 टेराबाइट प्रति सेकंड की तुलना में यह करीब 29% की बढ़ोतरी है। उसकी 12-परत वाली HBM4E स्टैक में 48 गीगाबाइट हैं, जो उतनी ही परतों वाली HBM4 स्टैक के 36 गीगाबाइट से एक-तिहाई अधिक है। Samsung ने आठ परतों और 32 गीगाबाइट, तथा 16 परतों और 64 गीगाबाइट वाले संस्करणों की भी योजना बनाई है।
SK hynix ने भी HBM4E पेश किया, जिसकी गति हर पिन पर 16 गीगाबिट प्रति सेकंड तक है। कंपनी ने कहा कि HBM4 की तुलना में ऊर्जा दक्षता 20% से अधिक बेहतर होगी। Samsung ने मई में ग्राहकों को नमूने दिए, जबकि SK hynix ने प्रदर्शन जांच के लिए जून में नमूने भेजे। Samsung ग्राहक कार्यक्रमों के अनुरूप बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की दिशा में काम कर रहा है।
निर्माता GPU के पास मौजूद मेमोरी से आगे देख रहे हैं
Samsung ने zHBM का एक मॉडल दिखाया। यह ऐसा आर्किटेक्चर है जिसमें मेमोरी को कंप्यूटिंग चिप के बगल में रखने के बजाय उसके ऊपर लंबवत रखा जाता है। दोनों के बीच दूरी घटने से डेटा भेजने में लगने वाला समय और ऊर्जा कम हो सकती है।
SK hynix ने हाई बैंडविड्थ फ्लैश, यानी HBF, पेश किया। कंपनी को उम्मीद है कि इसकी क्षमता मौजूदा HBM से करीब 10 गुना होगी। प्रस्तावित तकनीक तेज मेमोरी और स्टोरेज के बीच एक और स्तर जोड़ेगी, जिससे AI सिस्टम को अधिक डेटा संभालने में मदद मिलेगी।
Samsung ने ऐसी मेमोरी भी दिखाई जो कुछ गणनाएं खुद कर सकती है। इस तरीके का उद्देश्य अलग प्रोसेसर तक डेटा भेजने की जरूरत घटाना है। हर प्रस्ताव एक संबंधित समस्या पर काम करता है: कंप्यूटिंग चिप बेहद तेज होने पर भी जानकारी को इधर-उधर भेजने में समय और ऊर्जा लगती है।
zHBM और HBF अभी विचार और विकास के चरण में हैं; इनके व्यावसायीकरण की तारीख और ग्राहकों द्वारा अपनाए जाने का फैसला बाकी है। Vera Rubin के मौजूदा उत्पादन के लिए HBM4 का विनिर्माण और आपूर्ति फिलहाल प्राथमिक काम हैं।
उत्पादन के अहम पड़ाव जिन पर नजर रखनी है
Nvidia का पूर्ण उत्पादन तक पहुंचना मेमोरी की मंजूरी, कारखानों के विस्तार और भविष्य के उत्पादों के प्रदर्शन के कई महीनों बाद हुआ है। प्रमुख पड़ाव दिखाते हैं कि प्रोसेसर और मेमोरी के कार्यक्रम अब कितने करीब से जुड़े हैं:
- 2026 की शुरुआत: Micron का HBM4 बड़े पैमाने पर उत्पादन में आया।
- मई और जून 2026: Samsung और SK hynix ने ग्राहकों को HBM4E के नमूने दिए।
- जून 2026: Huang ने पुष्टि की कि तीनों प्रमुख HBM आपूर्तिकर्ताओं को मंजूरी मिल गई है और वे Vera Rubin के लिए उत्पादन कर रहे हैं।
- 7 अक्टूबर 2026: Micron की ताओयुआन यूनियन ने हड़ताल की कार्रवाई को मंजूरी दी।
- 14 से 16 अक्टूबर 2026: Samsung और SK hynix ने सियोल में SEDEX में मेमोरी तकनीकें पेश कीं।
- अक्टूबर 2026 का मध्य: Micron ने ताइचुंग में अपनी AATT2 पैकेजिंग और परीक्षण सुविधा खोली।
- 22 अक्टूबर 2026: Micron की ताइचुंग यूनियन से जुड़ी मध्यस्थता तय हुई।
- 2027 का मध्य: Micron का लक्ष्य अपने विस्तारित टोंगलुओ केंद्र से पूरे उत्पादों की खेप शुरू करना है।
Vera Rubin की बढ़ती मेमोरी जरूरतों से Samsung और SK hynix को फायदा हो सकता है, जबकि Micron की अनुबंधित क्षमता उपलब्ध आपूर्ति के लिए कड़ी प्रतिस्पर्धा दिखाती है। ग्राहकों को पूरा सिस्टम चाहिए, इसलिए नोड की तेज असेंबली के साथ पर्याप्त मेमोरी, भरोसेमंद पैकेजिंग और कारखानों का स्थिर संचालन भी जरूरी है।
मुख्य बातें
- Nvidia का कहना है कि Vera Rubin पूर्ण उत्पादन में है और नोड असेंबली में दो घंटे के बजाय पांच मिनट से भी कम समय लगता है।
- इस प्लेटफॉर्म में पूरी तरह लिक्विड कूलिंग और मंजूरी प्राप्त आपूर्तिकर्ताओं Samsung, SK hynix और Micron की HBM4 मेमोरी है।
- Samsung की 12-परत वाली HBM4 स्टैक में 36 गीगाबाइट हैं; SK hynix की प्रदर्शित 16-परत वाली स्टैक में 48 गीगाबाइट हैं।
- Micron का कहना है कि ताइचुंग में उसकी नई HBM सुविधा की 2027 के लिए पूरी नियोजित क्षमता अनुबंधित है।
- उन्नत पैकेजिंग, उपकरणों की उपलब्धता और श्रमिकों के साथ बातचीत, आपूर्ति के कार्यक्रम को प्रभावित कर सकते हैं।
- Samsung और SK hynix HBM4E की जांच कर रहे हैं और AI मेमोरी को रखने तथा व्यवस्थित करने के नए तरीके विकसित कर रहे हैं।
