छोटा मेमोरी सेल और महत्वाकांक्षी समयसीमा
चीन की सबसे बड़ी मेमोरी चिप निर्माता कंपनी चांगशिन मेमोरी टेक्नोलॉजीज (CXMT) की योजना 2026 के अंत तक 4F2 DRAM आर्किटेक्चर पर आधारित DDR5 रजिस्टर्ड सर्वर मेमोरी पेश करने की है। कंपनी के अध्यक्ष काओ कान्यू ने 10 अक्टूबर को शंघाई में चौथे इंटीग्रेटेड सर्किट और चिपलेट सम्मेलन में यह योजना बताई। इस घोषणा के साथ कंपनी ने सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स, SK hynix और माइक्रोन से प्रतिस्पर्धा की अपनी कोशिश के लिए एक विशिष्ट उत्पाद और समयसीमा तय की है।
विषय-सूची
- छोटा मेमोरी सेल और महत्वाकांक्षी समयसीमा
- काओ ने शंघाई में क्या घोषणा की
- DRAM चिप के भीतर 4F2 क्या बदलता है
- सैमसंग और SK hynix की अपनी समयसीमाएं
- उत्पादन यील्ड क्यों तय कर सकती है मुकाबला
- सर्वर ग्राहक एक अलग कसौटी हैं
- पेटेंट और उपकरण व्यापक प्रतिस्पर्धा को आकार देते हैं
- समयसीमा से पहले क्या साबित होना बाकी है
- मुख्य बातें
प्रस्तावित आर्किटेक्चर में हर मेमोरी सेल का क्षेत्रफल मौजूदा मुख्यधारा के 6F2 डिजाइन से घटाकर 4F2 किया गया है। समान न्यूनतम फीचर आकार पर इसका अर्थ है कि सेल का क्षेत्रफल सैद्धांतिक रूप से एक तिहाई कम होगा। इससे एक चिप में अधिक मेमोरी समा सकती है, हालांकि तैयार उत्पाद में इसका लाभ सर्किटरी, विनिर्माण नतीजों और डिजाइन की अन्य जरूरतों पर निर्भर करेगा।
CXMT की समयसीमा सैमसंग के कथित 2028 के बड़े पैमाने पर उत्पादन लक्ष्य से करीब दो साल पहले की है। लेकिन यह अभी विनिर्माण में दो साल की बढ़त का सबूत नहीं है। उत्पाद पेश करना और बड़ी मात्रा में उसका भरोसेमंद उत्पादन करना अलग-अलग पड़ाव हैं। CXMT ने अपनी प्रस्तावित सर्वर मेमोरी के विस्तृत विनिर्देश, सटीक लॉन्च तारीख या उत्पादन यील्ड का खुलासा नहीं किया है।
यह घोषणा इसलिए अहम है क्योंकि इसका लक्ष्य उपभोक्ता उपकरणों के बजाय एंटरप्राइज सर्वर हैं, जहां चीनी DRAM आपूर्तिकर्ताओं की पहले से मौजूदगी है। सर्वर ग्राहकों को लंबे समय तक भरोसेमंद संचालन चाहिए। इसलिए व्यावसायिक स्वीकृति, छोटा सेल दिखाने से अलग कसौटी है।
काओ ने शंघाई में क्या घोषणा की
काओ कान्यू, जिनका नाम अंग्रेजी रिपोर्टों में चाओ कान्यू भी लिखा गया है, ने कहा कि CXMT के नए आर्किटेक्चर का पहला उत्पाद सर्वर मेमोरी होगा। शंघाई सम्मेलन में उन्होंने प्रस्तावित लॉन्च के बारे में कहा:
हम साल के अंत तक 4F2 DRAM संरचना वाली अगली पीढ़ी की DDR5 RDIMM सर्वर मेमोरी लॉन्च करेंगे।
RDIMM का मतलब है रजिस्टर्ड डुअल इनलाइन मेमोरी मॉड्यूल। इन मॉड्यूल में कमांड और एड्रेस सिग्नल को बफर करने के लिए रजिस्टर का इस्तेमाल होता है, जिससे सर्वर अधिक मांग वाले मेमोरी कॉन्फिगरेशन संभाल पाते हैं। DDR5 मेमोरी की पीढ़ी बताता है; 4F2 सेल के मूल लेआउट का वर्णन करता है। इसलिए यह घोषणा सर्वर मेमोरी की जानी-पहचानी श्रेणी के भीतर चिप बनाने के नए तरीके से जुड़ी है, न कि DDR5 मानक के विकल्प से।
CXMT ने कहा कि उसने विनिर्माण के अहम चरणों को नए सिरे से तैयार किया और अपना वर्टिकल सराउंडिंग गेट ट्रांजिस्टर, यानी VSG, विकसित किया। इन दावों से संकेत मिलता है कि काम प्रस्तावित सेल लेआउट से आगे तक फैला है। हालांकि, इनसे यह साबित नहीं होता कि प्रक्रिया से कितनी उपयोगी चिप बनती हैं, उत्पादन कितनी तेजी से बढ़ाया जा सकता है या सर्वर ग्राहकों ने योग्यता परीक्षण पूरा कर लिया है।
समयसीमा को लेकर रिपोर्टों में अलग-अलग बातें कही गई हैं। कुछ इसे साल के अंत के आसपास बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की योजना बताते हैं, जबकि काओ के उद्धृत बयान में उत्पाद लॉन्च का वादा है। विनिर्माण की मात्रा का खुलासा नहीं होने के कारण, CXMT की प्रतिस्पर्धियों से तुलना के लिए लॉन्च का सीमित वादा अधिक ठोस आधार है।
DRAM चिप के भीतर 4F2 क्या बदलता है
DRAM में सूचना ऐसे सेल में रखी जाती है जिन्हें डेटा बनाए रखने के लिए नियमित रूप से रीफ्रेश करना पड़ता है। सेल के आकार के लिए इस्तेमाल किए जाने वाले संकेत में F न्यूनतम फीचर आकार को दर्शाता है, जिसे आम तौर पर न्यूनतम लाइन चौड़ाई कहा जाता है। 4F2 सेल का क्षेत्रफल 2F गुणा 2F के बराबर होता है, जबकि 6F2 सेल का क्षेत्रफल F की छह वर्ग इकाइयों के बराबर होता है।
यह गणना महत्वाकांक्षा का उपयोगी पैमाना देती है। छह क्षेत्र इकाइयों से चार पर जाने से सेल का क्षेत्रफल करीब 33% घटता है। अगर केवल सेल का क्षेत्रफल मायने रखता, तो उसी जगह में 50% अधिक सेल लगाए जा सकते थे, क्योंकि छह को चार से भाग देने पर 1.5 आता है। इनमें से किसी भी आंकड़े को CXMT के तैयार मॉड्यूल की क्षमता या गति में किए गए वादे के रूप में नहीं देखा जाना चाहिए।
असली चिपों में परिधीय सर्किट, कनेक्शन और विनिर्माण की सीमाओं से तय जगह भी चाहिए। मेमोरी की गति, बिजली की खपत और विश्वसनीयता इस बात से आगे के कारकों पर निर्भर करती है कि किसी क्षेत्र में कितने सेल समा सकते हैं। CXMT ने ऐसे माप प्रकाशित नहीं किए हैं जिनसे उसके उत्पाद की इन विशेषताओं की मौजूदा सर्वर DRAM से तुलना की जा सके।
प्रस्तावित VSG ट्रांजिस्टर में चैनल को लंबवत रखा जाता है और गेट उसे चारों ओर से घेरता है। गेट ट्रांजिस्टर में करंट को नियंत्रित करता है। CXMT का कहना है कि इस व्यवस्था से अनचाहा करंट रिसाव घटाने और मेमोरी घनत्व बढ़ाने में मदद मिलती है, जिससे बिजली दक्षता को संभावित लाभ हो सकता है।
CXMT मेमोरी सेल और परिधीय लॉजिक को अलग-अलग बेहतर बनाने के लिए हाइब्रिड बॉन्डिंग पर भी काम कर रही है। हाइब्रिड बॉन्डिंग में सेमीकंडक्टर संरचनाओं को बेहद बारीक विद्युत कनेक्शन के जरिए जोड़ा जाता है। इसका घोषित उद्देश्य स्टोरेज ऐरे और उसे सहारा देने वाली सर्किटरी को डिजाइन में अधिक लचीलापन देना है, हालांकि रिपोर्टों से यह स्पष्ट नहीं होता कि शुरुआती DDR5 RDIMM लॉन्च में इस तरीके का इस्तेमाल होगा या नहीं।
सैमसंग और SK hynix की अपनी समयसीमाएं
सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स और SK hynix 4F2 DRAM पर शोध कर रही हैं, लेकिन CXMT की घोषणा से जुड़ी रिपोर्टों में दोनों में से किसी ने भी बड़े पैमाने पर उत्पादन की पक्की प्रतिबद्धता घोषित नहीं की है। SK hynix ने 2025 में इससे जुड़ा तकनीकी रोडमैप बताया था। रिपोर्टों के मुताबिक, सैमसंग का लक्ष्य 2026 में 4F2 आधारित अपनी 10a DRAM का विकास पूरा करना, 2027 में गुणवत्ता परीक्षण करना और 2028 में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करना है।
सैमसंग की समयसीमा विकास का कथित लक्ष्य है, पक्की गारंटी नहीं। फिर भी इससे समझ आता है कि CXMT के प्रस्तावित 2026 लॉन्च पर ध्यान क्यों दिया जा रहा है: चीनी कंपनी अपने बड़े प्रतिद्वंद्वी से जुड़ी मौजूदा उत्पादन तारीख से पहले व्यावसायिक उत्पाद पेश करने की कोशिश कर रही है।
शंघाई जिआओतोंग विश्वविद्यालय के शोधकर्ता तियान फेंग ने कहा कि तीनों प्रमुख मेमोरी निर्माता 4F2 या इसी तरह की 3D DRAM तकनीकों के रोडमैप पर काम कर रहे हैं, लेकिन अभी बड़े पैमाने पर व्यावसायीकरण तक नहीं पहुंचे हैं। उनका आकलन इस विचार का समर्थन करता है कि यह उभरती हुई प्रतिस्पर्धा है, न कि ऐसा बाजार जिसमें किसी एक निर्माता ने पहले ही निर्णायक बढ़त साबित कर दी हो।
रिपोर्ट किए गए पड़ाव कई वर्षों में फैले हैं:
- 2016: CXMT का कहना है कि कंपनी की स्थापना के समय उसने 4F2 पर शोध शुरू किया।
- 2025: SK hynix ने 4F2 तकनीक से जुड़ा रोडमैप बताया।
- अगस्त 2026: CXMT का कहना है कि उसने LPDDR6 मोबाइल मेमोरी का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया।
- सितंबर 2026: CXMT के अनुसार, उसका पांचवीं पीढ़ी का DRAM विनिर्माण प्लेटफॉर्म बड़े पैमाने पर उत्पादन में शामिल हुआ।
- 10 अक्टूबर, 2026: काओ ने शंघाई में सर्वर मेमोरी योजना पेश की।
- 2026 का अंत: CXMT का लक्ष्य 4F2 आधारित DDR5 RDIMM पेश करना है।
- 2027 और 2028: रिपोर्टों के मुताबिक, सैमसंग गुणवत्ता परीक्षण के बाद बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की योजना बना रहा है।
उत्पादन यील्ड क्यों तय कर सकती है मुकाबला
विनिर्माण की मुख्य चुनौती यील्ड है, यानी एक वेफर पर बनी चिपों में से कितनी जरूरी विनिर्देशों पर खरी उतरती हैं। सिद्धांत रूप में छोटा सेल आकर्षक हो सकता है, लेकिन अगर बहुत सी चिपें परीक्षण में विफल हों तो उसका उत्पादन महंगा बना रह सकता है। ट्रांजिस्टर की बनावट और उत्पादन के चरणों में बदलाव के बाद प्रक्रिया को व्यावसायिक रूप से उपयोगी यील्ड तक पहुंचाना जरूरी होगा।
मेमोरी की कमी के दौरान यह बात खास तौर पर अहम है। नई प्रक्रिया पेश करने वाले निर्माताओं को उत्पादन की समस्याएं सुलझाने के दौरान उपयोगी आउटपुट का नुकसान उठाना पड़ सकता है, भले ही अंततः तकनीक से घनत्व या प्रदर्शन में सुधार हो। इसलिए स्थापित आपूर्तिकर्ताओं के पास मांग के मुकाबले अपनी मौजूदा प्रक्रिया से बदलाव के समय पर सोच-समझकर फैसला करने की वजह है।
SK hynix के पूर्व मुख्य प्रौद्योगिकी अधिकारी किम जिन-गुक ने कहा कि उत्पादन क्षमता तत्काल व्यावसायिक प्राथमिकता है:
मेमोरी की मौजूदा कमी लंबे समय तक बने रहने की आशंका के बीच, बाजार ऐसी स्थिति की ओर बढ़ रहा है जहां तकनीकी कौशल से ज्यादा उत्पादन क्षमता मायने रखती है,
किम ने नई प्रक्रिया शुरू करने की लागत को लेकर भी आगाह किया:
नई तकनीक पेश करने के दौरान उत्पादन का नुकसान काफी होना तय है।
उनकी टिप्पणियां बताती हैं कि पहले घोषणा करने का मतलब जरूरी नहीं कि प्रतिस्पर्धा में मजबूत स्थिति हो। भरोसेमंद मेमोरी का बड़े पैमाने पर उत्पादन करने वाली कंपनी, अधिक घनत्व वाले लेकिन अब भी मुश्किल से बनने वाले डिजाइन के प्रतिद्वंद्वी से ग्राहकों की जरूरत बेहतर ढंग से पूरी कर सकती है।
G5 प्लेटफॉर्म पर सितंबर में उत्पादन शुरू होने की CXMT की रिपोर्ट एक अन्य विनिर्माण पड़ाव पर गतिविधि दिखाती है। लेकिन इससे अपने आप यह साबित नहीं होता कि घोषित 4F2 सर्वर उत्पाद भी उसी स्तर की तैयारी तक पहुंच गया है। कंपनी ने इन उत्पादन दावों के बीच संबंध इतने विस्तार से नहीं बताया है कि ऐसा निष्कर्ष निकाला जा सके।
सर्वर ग्राहक एक अलग कसौटी हैं
सैमसंग, SK hynix और माइक्रोन सर्वर DRAM में अग्रणी रहे हैं, जबकि CXMT का जोर उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स पर अधिक रहा है। CXMT का कहना है कि 2026 की पहली छमाही में उसके सर्वर कारोबार का योगदान बढ़ा, लेकिन रिपोर्टों में इस कारोबार का राजस्व या बाजार हिस्सेदारी का आंकड़ा नहीं दिया गया है।
इससे सर्वर बाजार में प्रवेश और वहां पर्याप्त मांग हासिल करने के बीच अहम अंतर बना रहता है। ग्राहकों को ऐसी मेमोरी चाहिए जो लगातार भारी काम के दौरान उनके सिस्टम में भरोसेमंद ढंग से चले। चिप घनत्व के साथ उत्पाद का योग्यता परीक्षण, भरोसेमंद डिलीवरी और लगातार एक जैसा प्रदर्शन भी मायने रखेंगे।
इस घोषणा से हाई बैंडविड्थ मेमोरी (HBM) में सफलता भी साबित नहीं होती, जिसका उन्नत कंप्यूटिंग प्रोसेसर के साथ व्यापक इस्तेमाल होता है। DDR5 RDIMM और HBM मेमोरी की अलग-अलग भूमिकाएं निभाते हैं। प्रस्तावित सर्वर उत्पाद में प्रगति को इस बात का सबूत नहीं माना जा सकता कि CXMT ने HBM तकनीक में बताई गई अपनी कमी दूर कर ली है।
पारंपरिक DRAM में चीन और दक्षिण कोरिया के बीच अंतर के अनुमान अलग-अलग हैं। कुछ रिपोर्टें इसे एक से दो साल बताती हैं, जबकि अन्य दो से तीन साल का अंतर बताती हैं। रिपोर्टों में HBM का अंतर आम तौर पर कम से कम तीन साल माना गया है। ये उद्योग के आकलन हैं, सार्वजनिक किए गए तुलनीय उत्पाद परीक्षणों से निकले माप नहीं।
पेटेंट और उपकरण व्यापक प्रतिस्पर्धा को आकार देते हैं
CXMT का कहना है कि उसने 4F2 से जुड़े 300 से अधिक पेटेंट परिवार प्रकाशित किए हैं और 2016 से इस आर्किटेक्चर पर शोध कर रही है। पेटेंट परिवार उन संबंधित आवेदनों का समूह होता है जो अलग-अलग फाइलिंग या न्यायक्षेत्रों में किसी आविष्कार की रक्षा करते हैं। यह संख्या बौद्धिक संपदा के बड़े दायरे का संकेत देती है, लेकिन इसका अर्थ 300 अलग-अलग, विनिर्माण में साबित प्रगतियां नहीं है।
काओ ने यह भी दावा किया कि CXMT के संबंधित पेटेंट घरेलू और अंतरराष्ट्रीय प्रतिस्पर्धियों से अधिक हैं। इस रैंकिंग की पुष्टि के लिए कोई तुलनात्मक पेटेंट आंकड़ा नहीं दिया गया है। व्यावसायिक लिहाज से अधिक उपयोगी कसौटियां यह होंगी कि डिजाइन का विनिर्माण हो सकता है या नहीं, तैयार उत्पाद ग्राहकों की जरूरतें पूरी करते हैं या नहीं और क्या उनकी बड़े पैमाने पर आपूर्ति की जा सकती है।
उपकरणों तक पहुंच एक और बाधा है। रिपोर्टों के मुताबिक, CXMT ASML के एक्सट्रीम अल्ट्रावायलेट लिथोग्राफी उपकरणों का इस्तेमाल नहीं कर सकती, जिन्हें EUV कहा जाता है। EUV निर्माताओं को बेहद छोटे फीचर बनाने में मदद करता है और इसकी अनुपलब्धता CXMT के लिए व्यावसायिक रूप से उपयोगी यील्ड हासिल करने के रास्ते में अनिश्चितता बढ़ाती है।
उद्योग से जुड़ी कुछ टिप्पणियों का तर्क है कि भविष्य के 3D DRAM उत्पादन पर EUV का प्रभाव कम होगा। यह अनुमान बाद के आर्किटेक्चर से जुड़ा है और घोषित उत्पाद के सामने मौजूद विनिर्माण चुनौतियां खत्म नहीं करता। 4F2 सेल में वर्टिकल ट्रांजिस्टर का होना भी अपने आप DRAM सेल की कई परतें एक-दूसरे के ऊपर लगाने जैसा नहीं है।
चीन में हो रहे दूसरे बताए गए विकास से यह समझने में मदद मिलती है कि कोरियाई निर्माताओं में चिंता क्यों है। Huawei ने लॉजिक फोल्डिंग तकनीक को बढ़ावा दिया है, जबकि रिपोर्टों में कहा गया है कि YMTC की Xtacking बॉन्डिंग तकनीक के इस्तेमाल के लिए सैमसंग रॉयल्टी दे रहा है। ये अलग-अलग तकनीकें और कंपनियां हैं, इसलिए इनसे CXMT के सर्वर मेमोरी संबंधी दावों की पुष्टि नहीं होती।
Huawei और Qualcomm के बीच 5 अक्टूबर को घोषित पेटेंट लाइसेंसिंग समझौते में 5G, कंप्यूटिंग, आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस और नेटवर्किंग शामिल हैं। यह उद्योग में चीनी बौद्धिक संपदा की व्यापक भूमिका दिखाता है, लेकिन यह DRAM समझौता नहीं है और न ही 4F2 के उत्पादन के लिए तैयार होने का सबूत।
समयसीमा से पहले क्या साबित होना बाकी है
CXMT का वित्तीय विस्तार उसकी विकास योजनाओं को और संदर्भ देता है। रिपोर्टों के मुताबिक, जुलाई में उसके शेयरों की बिक्री से करीब 8.6 अरब डॉलर, यानी लगभग 66.61 अरब युआन जुटाए गए और पहले कारोबारी दिन उसके शेयरों में 466% की बढ़त हुई। ये आंकड़े बड़े निवेश और निवेशकों की दिलचस्पी दिखाते हैं, प्रस्तावित मेमोरी उत्पाद की तकनीकी पुष्टि नहीं।
रिपोर्ट किए गए कारोबारी सत्रों में स्थापित आपूर्तिकर्ताओं के शेयरों पर तत्काल प्रतिक्रिया सीमित रही: रातोंरात कारोबार में माइक्रोन करीब 1% गिरा और स्थानीय कारोबार में SK hynix 0.8% नीचे आया। सेमीकंडक्टर क्षेत्र में व्यापक बिकवाली और कृत्रिम बुद्धिमत्ता पर खर्च को लेकर चिंताएं भी मौजूद थीं, इसलिए इन उतार-चढ़ावों का कारण केवल CXMT की घोषणा को नहीं माना जा सकता।
अगली घोषित समयसीमा 2026 का अंत है। सीधी प्रतिस्पर्धी तुलना संभव होने से पहले CXMT को लॉन्च तारीख से अधिक जानकारी देनी होगी: मॉड्यूल के विनिर्देश, उत्पादन का पैमाना, ग्राहक योग्यता परीक्षण और भरोसेमंद संचालन के प्रमाण यह स्पष्ट करने में मदद करेंगे कि इस घोषणा का व्यावसायिक अर्थ क्या है।
फिलहाल, CXMT ने सैमसंग की बताई गई विनिर्माण समयसीमा से पहले उत्पाद पेश करने का लक्ष्य रखा है और आर्किटेक्चर का ठोस तरीका बताया है। क्या इससे सर्वर मेमोरी में बढ़त मिलेगी, यह केवल कैलेंडर पर नहीं, बल्कि उपयोगी उत्पादन और ग्राहकों की स्वीकृति पर निर्भर करेगा।
मुख्य बातें
- CXMT की योजना 2026 के अंत तक 4F2 DRAM वाली DDR5 रजिस्टर्ड सर्वर मेमोरी पेश करने की है।
- समान न्यूनतम फीचर आकार पर 4F2 सेल, 6F2 सेल से सैद्धांतिक रूप से एक तिहाई छोटा होता है।
- CXMT का कहना है कि उसका वर्टिकल सराउंडिंग गेट ट्रांजिस्टर करंट रिसाव घटाता है और अधिक घनत्व को संभव बनाता है।
- रिपोर्टों के मुताबिक, सैमसंग का लक्ष्य 2028 में बड़े पैमाने पर उत्पादन करना है; SK hynix ने 2025 में संबंधित रोडमैप बताया था।
- CXMT ने उत्पाद के विस्तृत विनिर्देश, उत्पादन यील्ड या सटीक लॉन्च तारीख का खुलासा नहीं किया है।
- जल्दी लॉन्च होने से अपने आप बड़े पैमाने के विनिर्माण या सर्वर ग्राहकों की स्वीकृति में बढ़त साबित नहीं होगी।
